江浙沪i线光刻胶显示面板材料

光刻胶主要由主体材料、光敏材料、其他添加剂和溶剂组成。从化学材料角度来看，光刻胶内重要的成分是主体材料和光敏材料。光敏材料在光照下产生活性物种，促使主体材料结构改变，进而使光照区域的溶解度发生转变，经过显影和刻蚀，实现图形从掩模版到基底的转移。对于某些光刻胶来说，主体材料本身也可以充当光敏材料。依据主体材料的不同，光刻胶可以分为基于聚合物的高分子型光刻胶，基于小分子的单分子树脂（分子玻璃）光刻胶，以及含有无机材料成分的有机-无机杂化光刻胶。本文将主要以不同光刻胶的主体材料设计来综述EUV光刻胶的研发历史和现状。光刻胶达到下游客户要求的技术指标后，还需要进行较长时间验证测试（1-3 年）。江浙沪i线光刻胶显示面板材料

尽管HSQ可以实现较好的EUV光刻图案，且具有较高的抗刻蚀性能，但HSQ较低的灵敏度无法满足EUV光刻的需求，且价格非常昂贵，难以用于商用的EUV光刻工艺中。另外，尽管HSQ中Si含量很高，但由于O含量也很高，所以HSQ并未展现含Si光刻胶对EUV光透光性的优势，未能呈现较高的对比度。因此，研发人员将目光转向侧基修饰的高分子光刻胶。使用含硅、含硼单元代替高分子光刻胶原本的功能性含氧侧基，既可有效降低光刻胶对EUV光的吸收，又有助于提高对比度，也可提高抗刻蚀性。浙江LCD触摸屏用光刻胶其他助剂光刻胶行业的上下游合作处于互相依存的关系，市场新进入者很难与现有企业竞争，签约新客户的难度高。

除了使用小分子作为金属氧化物配体的光刻胶之外，Gonsalves课题组还报道了一种以聚合物作为配体的体系。他们以甲基丙烯酸配体的HfO2纳米颗粒和带有硫鎓盐的甲基丙烯酸酯为原料，进行自由基聚合反应，使HfO2纳米颗粒的配体变为侧基带有硫鎓盐的聚甲基丙烯酸甲酯，光照后，硫鎓盐变成硫醚，在水性显影液中无法溶解，从而实现负性光刻。金属纳米颗粒一方面作为天线，有助于提高光刻胶的灵敏度；另一方面也可以提高抗刻蚀性。但是该光刻胶未获得分辨率优于40nm的图形，可能是因为该体系与基底的黏附力不佳。

2018年，相关研究课题小组报道了一系列含有第VIII族元素的六配位型的配合物，配体为联吡啶或草酸。他们研究了联吡啶数量和草酸根数量的多少对光刻胶灵敏度的影响情况。其中含有两个草酸配体、一个联吡啶配体结构的材料具有较高的灵敏度，也可获得分辨率较高的光刻线条。其他配体结构的灵敏度都不如以上配体结构的灵敏度高。EUV光导致草酸根部分分解后，会发生分子间的交联反应。配合物灵敏度与中心金属原子相关，顺序为Cr

化学放大型光刻胶体系中有一个比较大的问题，就是光酸的扩散问题。光酸的扩散会增加光刻过程的图案的粗糙度，进而影响光刻结果的分辨率。而将光致产酸剂与光刻胶主体材料聚合在一起，则有可能解决这一问题。此外，光致产酸剂（特别是离子型光致产酸剂）的化学结构与主体材料相差较大，极易在成膜时发生聚集，导致微区分相现象；而光致产酸剂与光刻胶主体材料共价键合后，分布均匀性可以得到改善，这也有利于获得质量更好的光刻图案。光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。昆山g线光刻胶单体

光刻胶是一大类具有光敏化学作用的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。江浙沪i线光刻胶显示面板材料

感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。江浙沪i线光刻胶显示面板材料